Electronique de puissance et matériaux grand gap par Institut polytechnique de Grenoble (Grenoble INP)

Lieu(x)
En centre (38)
Durée
Total : 14 heures
En centre : 14 heures
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Description générale
1. Matériaux grand gap
o Physique des semi
- conducteurs
o Influence de la structure microscopique sur les propriétés physiques

2. Composants interrupteurs à grand gap
o Composants HEMT
- GaN
o Composants SiC
- MOSFET
o Perspectives : composants en diamant, Ultra
- Wide
- Band
- Gap

3. Mise en oeuvre des composants rapides à grand gap
o Les effets du packaging sur les commutations
o Design du circuit de puissance optimal vis
- à-vis de la CEM
o Exemple de designs avancés

4. Commandes rapprochées (gate drivers) pour composants grand gap
o Etat de l'art des gate drivers pour interrupteurs grand gap
o Fonctions spécifiques
o Interactions driver / puissance
o Mise de série, mise en parallèle
Lors des ateliers de simulation, les études de cas concerneront
l'utilisation des modèles des composants grand gap dans des
applications d'électronique de puissance
Objectifs
- Connaître les limites théoriques et pratiques des composants classiques à base de silicium
- Comprendre l'intérêt des composants à base de matériaux SiC et GaN
- Comprendre les interactions entre les composants de puissance, le
packaging, le driver et la CEM dans le contexte de commutations rapides
- Comprendre les nouvelles performances et les contraintes apportées par les composants grand gap
Centre(s)
  • Grenoble (38)
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